三星启动其首批第九代V-NAND闪存量产

比三星上一代产品提高约50%的位密度(bit density) 通过先进的通道孔蚀刻技术（channel hole etching）提高生产效率 深圳2024年4月23日 /美通社/ -- 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产，这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。 "我们很高兴能推出三星首款第九代V-NAND，这将有机会推动未来应用的飞跃发展。"三星电子闪存产品与技术主管SungHoi Hur表示。"为了满足不断发展的NAND闪存解决方案需求，三星在这款产品的单元架构和运行方案上不断突破极限。通过我们最新的V-NAND，三星将在高性能、高密度SSD市场中持续创新，满足未来人工智能时代的需求。" 凭借当前三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度，三星第九代V-NAND的位密度比第八代V-NAND提高了约50%。单元干扰避免和单元寿命延长等新技术特性的应用