网传小米澎湃 P1 芯片并非自研，南芯半导体回应：消息不实

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IT之家 2 月 8 日消息，南芯半导体今日发文称，近日出现了一些关于小米澎湃 P1 的不实传言。官方现做出回应。据介绍，小米澎湃 P1 芯片为小米自研设计、南芯半导体代工（内部代号 SC8561）。这款芯片具备超高压 4:1 充电架构，实现了 120W 单电芯充电，，支持 1:1、2:1 和 4:1 的转换模式，所有模式均可双向导通，可实现有线 120W、无线 50W、无线反充等多种充电功能。今日早些时候，有微博用户表示小米自研的澎湃 P1 芯片为外部购买的传闻，针对小米的“自研”工作进行造谣。小米在去年 12 月发布了自研的第三款芯片澎湃 P1。雷军称，小米 12 Pro 搭载澎湃 P1 充电芯片，行业首次实现“120W 单电芯”充电技术。小米表示，过去的单电芯快充体系中，要把输入手机的 20V 电压转换成可以充入电池的 5V 电压，需要 5 个不同种电荷泵的串并联电路。大量的电荷泵和整体串联的架构会带来很大的发热