意法半导体“单片多硅技术”历史成就荣获著名的IEEE里程碑奖

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【TechWeb】5月21日消息，意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)宣布，电气与电子工程师协会(IEEE)授予意法半导体IEEE里程碑奖，表彰公司在超级集成硅栅半导体工艺技术方面的开创性研究成果。意法半导体的BCD技术可以单片集成双极工艺高精度模拟晶体管、CMOS工艺高性能数字开关晶体管和高功率DMOS晶体管，适合复杂的、有大功率需求的应用。多年来，BCD工艺技术已赋能硬盘驱动器、打印机和汽车系统等终端应用取得了颠覆性发展。 在意法半导体Agrate工厂举行的现场 / 线上揭牌仪式上，IEEE意大利分部人道主义活动委员会协调员兼前任秘书Giambattista Gruosso和意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery共同揭开了IEEE里程碑牌匾。 该牌匾将放置在意法半导体在意大利米兰市近郊的两个曾经承担多硅栅多功率BCD开发工作的意大利布里安札的Agrate工厂和意大利米兰Castel