三星作为全球闪存芯片的龙头企业,近日宣布计划扩大其 NAND 闪存芯片的生产。三星计划投资韩国平泽市工业园区的2号生产线以扩大产能,应对因新冠疫情而扩大的生产电脑与服务器对芯片的需求。据 SamMobile 消息,新工厂在前月已开始动工,三星表示闪存芯片的需求量会因 5G、人工智能以及万物互联的发展而迅速增长,而新工厂 V-NAND 芯片的量产将会在 2021 年下半年开始。分析师表示,三星会为新工厂投资 7-8 万亿韩元(约合人民币 407-465 亿),建成后,这条生产线会满足 NAND 闪存芯片的中期和长期需求。三星的平泽工业园区,已经是世界其中两条最庞大的闪存及内存芯片生产线所在地。不过,随着需求量的不断扩大,三星仍然会对其进一步投资。在过去18年,三星一直是存储芯片领域的领导者,他们最近还官宣了最新的存储芯片技术——业内首次多达160层的 V-NAND 闪存设计。它在拥有更高存储容量的同时,芯片密度更高。三星电子存储全
财大气粗:三星投资天价扩大存储芯片及感光元件生产规模
2020-06-01 17:38:06来源: IT之家
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