新思科技3DIC Compiler支持三星实现针对HPC应用的高带宽存储先进多裸晶芯…

全面的设计和分析功能可通过三星多裸晶芯片集成，延续SoC摩尔定律加利福尼亚州山景城2020年11月18日 /美通社/ -- 新思科技（Synopsys，纳斯达克股票代码：SNPS）近日宣布，其3DIC Compiler解决方案协助三星在一次封装中完成具有8个高带宽存储器（HBM）的复杂5纳米SoC的设计、实现和流片。借助3DIC Compiler平台，三星基于硅中介层技术的多裸晶芯片集成（MDI™）能够扩展用于高性能计算（HPC）的全新SoC设计的复杂性和容量。与3DIC Compiler的合作可提高三星的设计效率，将完成设计所需时间从数月缩短至数小时。 为应对HPC等加速发展市场中的关键设计挑战，先进封装变得越来越重要。HPC正在推动越来越多的HBM集成到封装中，以实现更高的带宽和更快的访问。每个HBM堆栈的集成都需要成千上万的额外die-to-die互连，这增加了封装中多裸晶SoC的设计复杂性，并且从早期探索到设计签核都需