11月15日消息 在为期三天的 2020 年虚拟闪存峰会期间,NEO 半导体首席执行官兼创始人许志安(Andy Hsu)进行了详细的演讲,介绍了该公司全新 X-NAND 闪存架构,该架构有望将 SLC 闪存的速度与 QLC 的密度和低价格相结合。 NEO Semiconductor 于 2012 年在加利福尼亚州圣何塞成立,并拥有 20 项与存储器相关的专利。该公司于 2018 年首次公开了其 X-NAND 技术,作为面向 AI 和 5G 新兴市场的存储解决方案,他们现在已经分享关于该技术的更多细节。 ▲ 图源 Tom's Hardware ,下同 X-NAND 承诺将提供顶级性能:该公司声称其随机读取和写入工作量比 QLC 闪存快 3 倍,并且在顺序读取和写入工作量方面分别超出 27 倍 / 14 倍(请参见上图)。 这是通过更小的裸片实现的,该裸片的尺寸约为 16 平面设计的尺寸的 37%(见下图)。这
新的 X-NAND 技术详解:QLC 的容量和定价 + SLC 的速度
2020-11-16 11:41:25来源: TechWeb
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