TI推出其首款带集成驱动器、内部保护和有源电源管理的车用GaN FET

工程师可以使车用充电器和工业电源实现两倍的功率密度和更高效率 北京2020年11月10日 /美通社/ -- 德州仪器（TI）今天推出了面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），进一步丰富拓展了其高压电源管理产品线。与现有解决方案相比，新的GaN FET系列采用快速切换的2.2 MHz集成栅极驱动器，可帮助工程师提供两倍的功率密度和高达99%的效率，并将电源磁性器件的尺寸减少59%。TI利用其独有的GaN材料和在硅（Si）基氮化镓衬底上的加工能力开发了新型FET，与碳化硅（SiC）等同类衬底材料相比，更具成本和供应链优势。更多信息请登录www.ti.com.cn/LMG3425R030-pr-cn和www.ti.com.cn/LMG3525R030-Q1-pr-cn查看。 电气化正在改变汽车行业，消费者越来越需要充电更快、续