12nm工艺 紫光国芯发布GDDR6控制器芯片：速率可达16Gbps

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不经意间，中国的芯片公司又闯入了一个新领域，日前西安紫光国芯宣布推出12nm工艺的GDDR6存储控制器和物理接口IP（GDDR6 MC/PHY IP）。 紫光国芯之前做过DDR内存芯片，还有就是NAND闪存，推出显存相关的IP芯片还是第一次，而且水准不低，制程工艺使用的是GF格芯的12nm LP低功耗工艺，做的也是GDDR6存储控制器和物理接口IP（GDDR6 MC/PHY IP），大家可以理解为GDDR6显存的主控芯片。 根据紫光国芯介绍，这个GDDR6 MC/PHY IP包括一个可配置的内存控制器（MC），其完全符合DFI3.1和AMBA AXI4.0标准，并允许设计工程师生成具有优化延迟和带宽的GDDR6控制器以满足高性能应用的要求，如显卡，游戏机和AI计算等。 该IP针对功耗和性能进行了优化设计，西安紫光国芯的GDDR6物理接口（PHY）提供了高达12Gbps/13Gbps/14Gbps/16Gbps的数据速率，同时兼容