采用双堆栈技术，三星第七代V NAND闪存可达176层

图片地址：https://img.ithome.com/newsuploadfiles/2020/9/20200910144338_9561.jpg

根据韩媒报道，三星在下一代闪存芯片的开发中取得重大进展，第七代 V NAND 闪存芯片将达到 176 层，并将于明年 4 月实现量产。这将是业界首个高于 160 层的高级别的 NAND 闪存芯片，三星将因此再次拉开与竞争对手的技术差距，维持自 2002 年以来一直在全球 NAND 闪存市场中排名第一的地位。图片源自 flickr相比于上一代闪存，第七代闪存在堆栈上取得明显的进步。三星的第六代 NAND 闪存是 128 层，于今年 6 月开始量产，而第七代闪存将达到 176 层，尽管并没有达到其最初计划的 192 层，但依然有着明显的进步。据悉，第七代 NAND 闪存采用了 “双堆栈”技术，这是一种可以将通孔分成两部分的，以便电流通过电路的方法。过去的单堆栈只能有一部分通孔，随着堆栈层数的增多，工艺也随之改进。今年 6 月，三星宣布将投资约 9 万亿韩元在位于韩国京畿道平泽工厂的 2 号线建设新的 NAND 闪存芯片生产设施，以扩