5G、新能源催生庞大需求 第三代半导体有望“换道超车”

　　“中国半导体材料与国外的差距已不是那么大，我很乐观地相信可以追得上。”在近日由中信建投证券与金沙江资本联合主办的“中国第三代半导体发展机遇交流峰会”上，鲜少露面的中芯国际创始人、原CEO张汝京发声。 　　他的自信来自于第三代半导体的发展机遇：未来，新能源汽车、5G通信、数据中心等领域都将规模应用第三代半导体，随着中国在高科技领域的领跑，第三代半导体发展可以“换道超车”。 　　此次峰会上，还包括金沙江资本创始人及董事局主席伍伸俊、资产管理公司TPG（德太投资）中国区管理合伙人孙强、瑞信集团董事会成员李山等，就如何发展第三代半导体开展头脑风暴。 　　5G、新能源都离不开第三代半导体 　　何谓第三代半导体？半导体发展至今已经历三个发展阶段：第一阶段是以硅（Si）、锗（Ge）为代表的第一代半导体原料；第二阶段是以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；第三阶段是以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、硒化锌（ZnS