TrendForce：三大内存原厂将于 20 层堆叠 HBM5 全面应用混合键合工艺

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IT之家 10 月 30 日消息，分析机构 TrendForce 集邦咨询表示，三大 HBM 内存巨头在对堆叠高度限制、I/O 密度、散热等要求的考量下，已确定于 HBM5 20hi（IT之家注：即 20 层堆叠）世代使用混合键合 Hybrid Bonding 技术。该机构认为，在 HBM4、HBM4e 两代产品上 SK 海力士、三星电子、美光三家企业均会推出 12hi、16hi 版本以满足对不同容量的需求，其中 12hi 产品将继续使用现有的微凸块键合技术，16hi 产品技术路线尚未确定。此外英伟达未来 AI GPU 将与 HBM5 内存以 3D 堆叠而非现有 2.5D 的形式集成。▲ 图源 TrendForce 集邦咨询机构表示，无凸块的混合键合技术可容纳较多堆叠层数，也能容纳较厚的晶粒厚度，以改善翘曲问题，能提升芯片传输速度，散热表现也更为优异，但还需克服微粒控制等技术问题。在 HBM4(e)16hi 产品上是否采用混合键