台积电、三星、IBM 将于 12 月在 IEDM 国际会议上展示最新 CFET 技术成果

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IT之家 10 月 17 日消息，第 70 届 IEEE 国际电子设备年会（IEDM）将于 2024 年 12 月 7 日至 11 日在旧金山举行。届时，诸如台积电、IMEC、IBM 和三星等各大半导体公司的研究人员将汇聚一堂，分享关于垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET）技术的最新研究成果。尽管 GAA FET（全栅极环绕晶体管）技术还未获得业界大规模采用，但下一代 CFET 技术已被提上日程，这项技术被视为下一代半导体技术的重要发展方向，有望在未来实现进一步的工艺尺寸微缩。CFET 的概念最早由 IMEC 研究所于 2018 年提出，即在同一区域内垂直堆叠 n 型和 p 型晶体管。根据 IMEC 的路线图，CFET 有望在 A5 工艺节点（预计约 2032 年）实现广泛量产。台积电工程师将在会议上发表一篇关于 CFET 的论文，主要是介绍在 48nm 栅距（大致相当于现有 5nm 工艺的标准）上制造的全功能