英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革

凭借这一突破性的 300 mm GaN技术，英飞凌将推动GaN市场快速增长 利用现有的大规模300 mm硅制造设施，英飞凌将最大化GaN生产的资本效率 300 mm GaN的成本将逐渐与硅的成本持平 德国慕尼黑和奥地利菲拉赫2024年9月12日 /美通社/ -- 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）今天宣布，已成功开发出全球首项300 mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。这项突破将极大地推动GaN功率半导体市场的发展。相较于 200 mm晶圆，300 mm晶圆芯片生产不仅在技术上更先进，也因为晶圆直径的扩大，每片晶圆上的芯片数量增加了 2.3 倍，效率也显著提高。 基于GaN的功率半导体正在工业、汽车、消费、计算和通信应用中快速普及，包括AI系统电源、太阳能逆变器、充电器