SK 海力士确认 1c nm 工艺将用于 HBM、LPDDR6、GDDR7 等 DRAM 内存产品

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IT之家 8 月 29 日消息，SK 海力士今日宣布在业界率先成功开发第六代 10 纳米级（1c nm）DDR5 DRAM 内存的同时，也表示 1c nm 工艺将用于多款其它 DRAM 内存产品。SK 海力士 DRAM 开发担当副社长金锺焕在新闻稿中表示：1c 工艺技术兼备着最高性能和成本竞争力，公司将其应用于新一代 HBM、LPDDR6、GDDR7 等最先进 DRAM 主力产品群，由此为客户提供差别化的价值。今后公司也将坚守 DRAM 市场的领导力，巩固最受客户信赖的 AI 用存储器解决方案企业的地位。IT之家注意到，金锺焕在发言中为采用 1c nm 制程的 LPDDR 与 GDDR 指定了产品世代，但并未在 HBM 产品上提到具体世代。根据此前报道，SK 海力士的 HBM4E 内存有望采用 1c nm 制程的 32Gb DRAM 裸片，此外 SK 海力士内部也曾有在 HBM4 产品中就导入 1c nm DRAM 的声音。