imec 首次成功利用 ASML High NA EUV 光刻机实现逻辑、DRAM 结构图案化

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IT之家 8 月 8 日消息，比利时微电子研究中心 imec 当地时间昨日宣布，在其与 ASML 合作的 High NA EUV 光刻实验室首次成功利用 High NA EUV 光刻机曝光了逻辑和 DRAM 的图案结构。在逻辑图案方面，imec 成功图案化了单次曝光随机逻辑机构，实现了 9.5nm 密集金属线（IT之家注：对应 19nm Pitch），将端到端间距尺寸降低至 20nm 以下：▲ 密集金属线。图源 imec，下同不仅如此，imec 实现了中心间距 30nm 的随机通孔，展现了出色的图案保真度和临界尺寸一致性：▲ 随机通孔此外，imec 通过 High NA EUV 光刻机构建了 P22nm 间距的二维特征，显示了新一代光刻技术在二维布线方面的潜力：▲ 二维特征而在 DRAM 领域，imec 成功利用单次曝光图案化了集成 SNLP（Storage Node Landing Pad）和位线