极紫外光刻技术获突破：可大幅提高能源效率，降低半导体制造成本

8 月 2 日，冲绳科学技术大学院大学（OIST）的教授新竹俊（Tsumoru Shintake）提出了一种极紫外（EUV）光刻技术。基于这种设计的 EUV 光刻技术可以使用更小的 EUV 光源工作，从而降低成本，显著提高机器的可靠性和使用寿命。而在消耗电量上不到传统 EUV 光刻机的十分之一，有助于半导体行业变得更加环境可持续。据了解，该技术能取得突破，是因为它解决了该领域之前被认为无法克服的两个问题。第一个是仅由两个镜子组成的新型光学投影系统。第二个是高效地将 EUV 光直接照射到平面镜（光掩模）上的逻辑图案上的新方法，而不会阻挡光学路径。制造用于人工智能（AI）、移动设备（如手机）的低功耗芯片，以及日常必需的高密度 DRAM 存储器的先进半导体芯片，都依赖于 EUV 光刻技术。但是，半导体生产面临的挑战包括高功耗和设备的复杂性，这显著增加了安装、维护和电力消耗的成本。正如新竹教授所说，“这项发明是一项突破性技术，几乎可以完