SK 海力士 8 月 6 日将展示 AI 相关新品：12 层 HBM3E、321-high NAND 等

图片地址：https://img.ithome.com/newsuploadfiles/2024/8/58c5cf86-1cf0-4de4-93de-b6517f6e0acf.jpg?x-bce-process=image/format,f_auto

IT之家 8 月 1 日消息，SK 海力士今天（8 月 1 日）发布博文，宣布将出席 8 月 6 日至 8 日，在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的全球半导体存储器峰会 FMS 2024，展示诸多新一代产品。未来存储器和存储峰会（Future Memory and Storage）简介前身是主要面向 NAND 供应商的闪存峰会（Flash Memory Summit），在人工智能技术日益受到关注的背景下，今年重新命名为未来存储器和存储峰会（Future Memory and Storage），以邀请 DRAM 和存储供应商等更多参与者。新产品SK 海力士去年在 FMS 活动中宣布开发出业界最高的 321 层 NAND，今年也将展示诸多 AI 领域的新产品，包括 12 层 HBM3E（预计在第三季度量产）和 321-high NAND（明年上半年开始出货）。IT之家附上 SK 海力士即将展示的新产品如下：从左上开