消息指台积电最快 2028 年 A14P 制程引入 High NA EUV 光刻技术

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IT之家 7 月 29 日消息，台媒《电子时报》（DIGITIMES）今日报道称，台积电最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技术。▲ ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻机台积电目前正式公布的最先进制程为 A16，该工艺将支持背面供电网络（BSPDN），定于 2026 下半年量产。从目前消息来看，在 A16 上台积电仍将采用传统的 Low NA (0.33NA) EUV 光刻机。台媒在报道中表示，台积电在 A16 后的下一代工艺 A14 预计于 2026 上半年进入风险试产阶段，最快 2027 年三季度量产，该节点的主力光刻设备仍将是 ASML 的 NXE:3800E Low NA EUV 机台。▲ ASML NXE:3800E Low NA EUV 光刻机而在 A14 改进版 A14P 中，台积电有望正式启用 High NA EUV 光