TechInsights：3D、4F2 等新结构 DRAM 内存有望于 0C 节点量产

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IT之家 7 月 26 日消息，据韩媒 The Elec 报道，来自分析机构 TechInsights 的 Choi Jeong-dong 博士表示，采用 3D、4F2、VCT（垂直通道晶体管）等创新结构的 DRAM 内存有望于 0C nm 节点实现量产。0C nm 即第 3 代 10nm 以下级节点。目前三大 DRAM 原厂最先进的工艺是 1b (1β) nm，即第 6 代 20~10 纳米级节点。Choi 认为，在下代 1c nm 后，DRAM 内存行业还将经历 1d nm 节点才会将名义制程缩小至 10nm 以下。四到五年前有部分业内人士认为，采用新结构的 DRAM 内存在 1d~0a nm 世代就能面世。但目前看来 3D DRAM、4F2 DRAM 等技术仍不成熟，即使情况顺利，量产至少也要等到 0b nm。以 3D DRAM 为例，目前仍在测试 8、12 层堆叠的内存样品，离 60、90 层堆叠的目标还有很长的路要求。