IT之家 7 月 20 日消息,来自美国麻省理工学院、加拿大渥太华大学等机构的科学家,利用一种名为三元碲铋矿(ternary tetradymite)的晶体材料研制出一种新型超薄晶体薄膜半导体。据介绍,这种“薄膜”厚度仅 100 纳米,其中电子的迁移速度约为传统半导体的 7 倍从而创下新纪录。这一成果有助科学家研发出新型高效电子设备。相关论文已经发表于《今日材料物理学》杂志(IT之家附 DOI:10.1016/j.mtphys.2024.101486)。据介绍,这种“薄膜”主要是通过“分子束外延技术”精细控制分子束并“逐个原子”构建而来的材料。这种工艺可以制造出几乎没有缺陷的材料,从而实现更高的电子迁移率(即电子在电场作用下穿过材料的难易程度)。简单来说,当科学家向“薄膜”施加电流时,他们记录到了电子以 10000 cm²/V-s 的速度发生移动。相比之下,电子在“硅半导体”中的移动速度约为 1400 cm²/V-s,而在传统铜
北美科学家研发出新型薄膜半导体,电子迁移速度约为传统半导体 7 倍
2024-07-20 22:46:30来源: IT之家
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