消息称 SK 海力士 HBM4 内存使用台积电 N5 版基础裸片

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IT之家 7 月 17 日消息，《韩国经济日报》（Hankyung）表示，SK 海力士将采用台积电 N5 工艺版基础裸片（Base Die）构建 HBM4 内存。新一代 HBM 内存 HBM4 的 JEDEC 标准即将定案。而根据IT之家此前报道，SK 海力士的首批 HBM4 产品（12 层堆叠版）有望于 2025 年下半年推出。SK 海力士和台积电双方于今年 4 月签署了合作谅解备忘录，宣布将就 HBM 内存的基础裸片加强合作。而台积电在 2024 年技术研讨会欧洲场上表示，该企业准备了两款 HBM4 内存基础裸片，分别为面向价格敏感性产品的 N12FFC+ 版和面向高性能应用的 N5 版。其中 N5 版基础裸片面积仅有 N12FFC+ 版的 39%，同功率下逻辑电路频率可达 N12FFC+ 版的 155%，同频率功耗则仅有 35%。N5 工艺版基础裸片可实现 6~9μm 级别的互联间距，在目前流行的 2.5D 式封装集成外还