科学家发明原子级“透视镜”，半导体缺陷无所遁形

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IT之家 7 月 7 日消息，美国密歇根州立大学 (MSU) 的物理学家们开发了一种新的方法，可以以原子尺度分析半导体。这种方法将高分辨率显微镜与超快激光结合起来，可以以前所未有的方式检测半导体的“缺陷”。这项研究由密歇根州立大学杰里・考恩实验物理学资助讲座教授泰勒・科克尔 (Tyler Cocker) 领导，旨在克服长期存在的挑战。随着设备变得越来越小、功能越来越强大，能够检查设备组成材料的工具变得至关重要。“这对于具有纳米级结构的组件尤其重要，”科克尔解释说。这项技术的应用范围可扩展到尖端的半导体技术发展，包括具有纳米级特征的计算机芯片和仅一个原子厚的工程材料。这种新方法可以检测添加到砷化镓中的硅原子，砷化镓在雷达系统、高效率太阳能电池和现代电信设备中至关重要，这些硅原子在调节电子穿过半导体的运动中起着至关重要的作用。尽管理论物理学家已经研究了这种类型的缺陷数十年，但单个原子的实验检测到目前为止一直难以实现。“对于电子来说，