美光加速 EUV 技术攻坚，1γ DRAM 工艺目标 2025 年量产

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IT之家 6 月 27 日消息，不同于其他半导体龙头，美光并不急于为 DRAM 引入 EUV 光刻技术，因此该公司目前所有量产芯片都是采用 DUV 光刻机制造。不过，美光最终还是无法避免使用 EUV 技术，并于今年开始在其 1γ 工艺上进行试生产，该工艺计划于明年进入大规模量产 (HVM) 阶段。美光科技首席执行官 Sanjay Mehrotra 在刚刚举行的电话会议上表示：“采用极紫外光刻技术的 1γ DRAM 试产进展顺利，我们正按计划于 2025 年实现量产。”目前，美光正在日本广岛工厂开发采用 EUV 的 1γ DRAM 制造工艺，这也是首批 1γ 内存的试产地。Mehrotra 今年 3 月还表示：“我们正在不断改进使用极紫外光刻技术的生产能力，并在 1α 和 1β 节点上实现了 EUV 和非 EUV 工艺流程的等效良率和质量。我们已经开始采用 EUV 进行 1γ DRAM 试产，并计划于 2025 年实现量