SK启方半导体加大力度开发GaN新一代功率半导体

韩国首尔2024年6月19日 /美通社/ -- 韩国8英寸晶圆代工厂SK启方半导体（SK keyfoundry）今日宣布，已确保新一代功率半导体GaN（氮化镓）的关键器件特性。公司正在加大GaN的开发力度，力争在年内完成开发工作。 SK启方半导体持续关注着GaN功率半导体的市场和潜力。为此，公司于2022年成立了一个专职团队来推动GaN工艺的开发。日前，公司已得到650V GaN HEMT的新器件特性，并计划在今年年底完成开发工作。 由于650V GaN HEMT具有较高的功率效率，因此与硅基产品相比，可以降低散热器的成本。也正因如此，与硅基产品相比，终端客户系统的价格差异较小。该公司预计，硅基650V产品将为快速充电适配器、LED照明、数据中心和ESS以及太阳能微型逆变器等市场的无晶圆厂客户带来开发优质产品的优势。除了争取新客户外，SK启方半导体还计划积极向对650V GaN HEMT技术感兴趣的现有功率半