有望改变 AI 半导体规则，消息称三星电子年内将推出 HBM 三维封装技术 SAINT-D

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IT之家 6 月 18 日消息，据韩媒《韩国经济日报》报道，三星电子将于年内推出可将 HBM 内存与处理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技术。报道同时指出，在今年发布后，三星有望于明年推出的 HBM4 内存中正式应用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的简写）-D 技术。SAINT-D 是三星电子的一项 3DIC 先进封装技术，旨在垂直集成逻辑裸片和 DRAM 内存裸片。报道称该技术的具体实现方式是在处理器和 HBM 芯片间建立硅中介层。▲ 三星电子 SAINT 先进封装技术家族三星电子近期在三星代工论坛 2024 北美场上表示，其 SAINT-D 技术目前正处于概念验证阶段。▲ 三星 AI 解决方案，中即 SAINT-D 技术韩媒表示，SAINT-D 技术有望改变 AI 半导体领域的游戏规则：目前 HBM 内存与处理器之间采用 2.5D 封装连接