消息称三星电子 12nm 级 DRAM 内存良率不足五成，已就此成立专门工作组

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IT之家 6 月 11 日消息，韩媒 ZDNet Korea 今日表示，三星 1b nm（12nm 级） DRAM 内存良率仍不足五成。这一数据远低于 80~90% 的业界一般目标，三星已于上月就此成立专门工作组应对。参考IT之家以往报道，三星电子于 2023 年 5 月宣布 16Gb 版 12nm 级 DDR5 内存开始量产，后又于 2023 年 9 月宣布 12nm 级 32Gb DDR5 内存开发成功。▲ 三星电子 12nm 级 32Gb DDR5 内存32Gb 的颗粒容量意味着三星可在不使用 TSV 工艺的情况下就能生产 128GB 容量的高密度 DDR5 RDIMM 内存条。相比采用 TSV 的 3DS DIMM 内存，这种常规内存条功耗减少 10%，制造成本也显著降低。因此，12nm 级制程的 32Gb DDR5 内存颗粒被三星电子视为未来的主力产品。此番成立专门工作组旨在迅速提升良率。三星电子还决定积极扩大 12n