Rapidus 确认将在 2nm 采用 0.33NA EUV 光刻机，已规划未来 1.4nm 节点

IT之家 5 月 27 日消息，Rapidus 美国子公司 Rapidus Design Solutions 负责人亨利・理查德（Henri Richard）近日表示，Rapidus 的首代工艺将不采用 High NA EUV 光刻机。据外媒 Anandtech 报道，理查德称 Rapidus 目前对在其 2nm 节点使用的 0.33NA (Low NA) EUV 光刻解决方案“非常满意”。目前四家先进制程代工企业（台积电、三星电子、英特尔、Rapidus）中，仅有英特尔明确了将 High NA EUV 光刻机用于量产的计划。台积电联席副 COO 张晓强近日就表示，他“不喜欢”ASML High NA EUV 光刻机的价格；而三星电子的 Kang Young Seog 研究员此前也表达了类似的看法。除计划于 2025 年试产、2027 年量产的 2nm 工艺外，Rapidus 内部已对下一阶段 1.4nm 进行了规划。理查德也表