IT之家 5 月 21 日消息,综合韩媒 ZDNet Korea 和 The Elec 报道,三星电子执行副总裁 Lee Siwoo 在本月举行的 IEEE IMW 2024 研讨会上表示该企业计划在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 领域商业化研究集中在两种结构上:一种是 4F2 VCT(IT之家注:Vertical Channel Transistor,垂直通道晶体管) DRAM;另一种是 VS-CAT(Vertical Stacked-Cell Array Transistor,垂直堆叠单元阵列晶体管) DRAM。前者主要是在 DRAM 单元结构上向 z 方向发展,后者则是类似 3D NAND 一样堆叠多层 DRAM。▲ 图源 Semiconductor Engineering市面现有的 DRAM 内存采用 6F2结构,换用 4F2 结
迈向 3D 内存:三星电子计划 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型开发
2024-05-21 14:59:51来源: IT之家
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