台积电升级 CoWoS 封装技术，计划 2027 推出 12 个 HBM4E 堆栈的 120x120mm 芯片

图片地址：https://img.ithome.com/newsuploadfiles/2024/4/74a50cc8-df6d-4fce-a7b9-ef1a1147f688.jpg?x-bce-process=image/format,f_auto

IT之家 4 月 28 日消息，台积电近日在北美技术研讨会上宣布，正在研发 CoWoS 封装技术的下个版本，可以让系统级封装（SiP）尺寸增大两倍以上，实现 120x120mm 的超大封装，功耗可以达到千瓦级别。根据台积电官方描述，CoWoS 封装技术继任者所创建的硅中介层，其尺寸是光掩模（Photomask，也称 Reticle，大约为 858 平方毫米）是 3.3 倍。CoWoS 封装技术继任者可以封装逻辑电路、8 个 HBM3 / HBM3E 内存堆栈、I / O 和其他芯粒（Chiplets），最高可以达到 2831 平方毫米，最大基板尺寸为 80×80 毫米。消息称 AMD 的 Instinct MI300X 和 Nvidia 的 B200 都使用这种技术。IT之家附上截图如下：台积电计划 2026 年投产下一代 CoWoS_L，硅中介层尺寸可以达到光掩模的 5.5 倍，可以封装逻辑电路、 12 个 HBM3 / HB