美光获得美国至多 61.4 亿美元直接补贴和 75 亿美元贷款

IT之家 4 月 25 日消息，美国政府近日宣布，根据双方签订的不具约束力的初步备忘录，美国政府将根据《芯片与科学法案》向美光提供至多 61.4 亿美元（IT之家备注：当前约 445.76 亿元人民币）直接补贴。这笔补贴将支持美光到 2030 年在美国投资 500 亿美元（当前约 3630 亿元人民币），在纽约州克莱建设两座先进 DRAM 内存“超级晶圆厂”；并在总部所在地爱达荷州博伊西建设一座先进 DRAM 内存大规模量产工厂。美光博伊西晶圆厂将于 2025 年上线投运，2026 年启动 DRAM 生产；美光在克莱的首座晶圆厂 2025 年开始建设，2028 年上线。500 亿是美光更长期 1250 亿美元投资的一部分：美光目标在纽约州克莱投资共计 1000 亿美元，到 2041 年建成四座这样的“超级晶圆厂”；博伊西项目则价值 250 亿美元。计划中的每座晶圆厂的洁净室面积都将达到 600000 平方英尺（约 55740 平