消息称英特尔考虑引入 DSA 技术辅助 High NA EUV 光刻，提升图案质量

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IT之家 4 月 19 日消息，综合外媒 SemiAnalysis 和 The Elec 报道，英特尔考虑在未来的 High NA EUV 光刻节点导入定向自组装 DSA 技术进行辅助。DSA 是两项被认为可部分取代传统光刻的新型图案化技术之一（IT之家注：另一项是纳米压印 NIL），其利用嵌合共聚物的分子特性实现图案化，一般被认为适合辅助传统光刻而非独立运用。▲ 嵌段共聚物分子在诱导下可自动排列成有规律的图案形态。图源德国默克SemiAnalysis 认为，High NA EUV 光刻面临的一大问题就是关键尺寸（CD，衡量半导体工艺精细程度的关键指标之一）定时照射剂量和光刻机晶圆吞吐量的矛盾。如果晶圆厂需要在保证关键尺寸的前提下拥有良好的图案化效果，那么就必须加大照射剂量，这将导致光刻过程放慢，光刻机晶圆吞吐量降低，晶圆厂成本负担加重。而如果晶圆厂以较高的吞吐量运行光刻机，那就意味着光刻图案的质量随照射剂量的减少而下降。此时