英特尔宣布世界首台商用 High NA EUV 光刻机完成组装，计划明年投入研发使用

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IT之家 4 月 19 日消息，英特尔今日宣布其已在位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的 Fab D1X 研发晶圆厂完成世界首台商用 High NA（0.55NA） EUV 光刻机的组装工作，目前已进入光学系统校准阶段。▲ 图源英特尔新闻稿这台光刻机型号 TWINSCAN EXE:5000，为 ASML 的首代 High NA EUV 光刻机，价值约 3.5 亿美元（IT之家备注：当前约 25.38 亿元人民币）。就在不久前 ASML 宣布其在荷兰埃因霍温总部的另一台 High NA EUV 光刻机成功绘制了 10nm 线宽的密集线图案。英特尔表示 High-NA EUV 光刻机可拥有 1.7 倍于目前 0.33NA EUV 光刻机的一维密度，这意味着在二维尺度上可实现 190% 的密度提升。采用 High-NA EUV 光刻机，可以更精细的尺度制造生产半导体，继续推动摩尔定律。英特尔计划从 2025 年的 18A 新技术验证节点开始，