消息称三星、SK 海力士推进移动内存堆叠封装技术量产，满足端侧 AI 需求

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IT之家 4 月 9 日消息，据韩媒 ETNews 报道，三星电子和 SK 海力士都在推进移动 DRAM 堆叠封装技术的应用，该技术可提高移动设备的内存带宽。端侧 AI 是目前智能手机、笔记本等产品市场的热门话题，而实现端侧运行模型需要更强大的移动 DRAM 性能。堆叠芯片作为一种在 HBM 内存上行之有效的策略被纳入考虑。然而，以 LPDDR 为代表的移动 DRAM 芯片较小，不适合与 HBM 相同的 TSV（IT之家注：硅通孔）连接方案；同时 HBM 制造工艺的高成本低良率特性也不能满足高产能移动 DRAM 的需求。因此三星电子、SK 海力士采用了另一种先进封装方式来实现移动 DRAM 芯片堆叠，也就是垂直布线扇出技术 VFO，该技术可提供更多的 IO 数据引脚。SK 海力士方面表示 VFO 技术将 FOWLP 和 DRAM 堆叠两项技术结合，通过垂直连接大幅缩短了电信号在多层 DRAM 间的传输路径，同时能效也有提升。▲