消息称三星 3nm 工艺初期良率 10-20%，现已提升 3 倍但仍落后于台积电

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IT之家 3 月 22 日消息，消息源 @Tech_Reve 近日发布推文，表示三星 3nm 工艺初期良率为 10-20%，近期已提高了 3 倍多，但相比较采用 FinFET 技术的台积电，其良率依然偏低。消息源表示三星寄希望于第二代 3nm 技术，性能，功耗和面积（PPA）指标相当于台积电的 N3P 工艺。知情人士透露三星第二代 3nm 工艺与 4nm FinFET 技术相比，能效和逻辑面积提高了 20-30%。IT之家此前报道，三星计划今年下半年量产第二代 3nm 工艺。三星电子 DS 部门下属 Foundry 业务部负责人崔时荣表示三星的第二代 3nm 和首代 2nm 是两个不同的工艺，此前收到日本 AI 企业 Preferred Networks 的 2nm AI 芯片订单，也是三星的首个 2nm 订单。