美光：HBM 内存消耗 3 倍晶圆量，明年产能基本预定完毕

图片地址：https://img.ithome.com/newsuploadfiles/2024/3/49bffafe-f665-49d2-9f36-d08b680a3079.jpg?x-bce-process=image/format,f_auto

IT之家 3 月 21 日消息，美光在发布季度财报后举行了电话会议。在该会议上美光 CEO 桑杰・梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）表示，相对于传统内存，HBM 对晶圆量的消耗明显更高。美光表示，在同一节点生产同等容量的情况下，目前最先进的 HBM3E 内存对晶圆量的消耗是标准 DDR5 的三倍，并且预计随着性能的提升和封装复杂度的加剧，在未来的 HBM4 上这一比值将进一步提升。参考IT之家以往报道，这一高比值有相当一部分原因在 HBM 的低良率上。HBM 内存采用多层 DRAM 内存 TSV 连接堆叠而成，一层出现问题就意味着整个堆栈报废。目前 HBM 的良率仅有约 2/3，明显低于传统内存产品。目前，由于 AI 领域的蓬勃发展，热门产品 HBM 一直处于供不应求的状态。SK 海力士今年的 HBM 产能已经售罄，三星也早已完成了今年大部分产能的配额谈判。梅赫罗特拉此次更是进一步表示，美光的 HBM 产能连明年的都基