三星将在 2024 IEEE ISSCC 上展示 280 层 QLC 闪存，速率可达 3.2GB/s

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IT之家 1 月 30 日消息，2024 年 IEEE 国际固态电路会议（ISSCC）将于 2 月 18 日至 22 日在旧金山举行，是世界学术界和企业界公认的集成电路设计领域最高级别会议。根据会议公开内容：届时三星将展示其 GDDR7 内存以及 280 层 3D QLC NAND 闪存等技术，其中 GDDR7 IT之家此前已有相关报道，而 280 层 QLC 闪存将成为迄今为止数据密度最高的新型 NAND 闪存技术。从三星给出的主题“A 280-Layer 1Tb 4b / cell 3D-NAND Flash Memory with a 28.5Gb / mm2 Areal Density and a 3.2GB/s High-Speed 10 Rate”来看，其 280 层 1Tb QLC 闪存具有如下特征：280 层 1Tb 4b / cell 3D-NAND 闪存：——280 层：指该闪存芯片由