三星电子在硅谷设立新实验室，负责下一代 3D DRAM 内存研发

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IT之家 1 月 28 日消息，三星电子称其已经在美国硅谷开设了一个新的 R&D 研究实验室，专注于下一代 3D DRAM 芯片的开发。该实验室位于硅谷 Device Solutions America（DSA）运营之下，负责监督三星在美国的半导体生产，并致力于开发新一代的 DRAM 产品，以帮助三星继续引领全球 3D DRAM 市场。三星去年 9 月推出了业界首款且容量最高的 32 Gb DDR5 DRAM 芯片，采用 12nm 级工艺打造，可生产出 1TB 的内存产品，从而巩固了三星在 DRAM 技术方面的领导地位。IT之家注：Gb 即兆位（G bit），是 DRAM 密度单位，与 GB（G Byte）不同。一根内存条有多枚 DRAM 芯片，这些 DRAM 颗粒组合起来就是 Rank（内存区块），大家常见的逻辑容量主要包括 8GB、16GB、32GB 这些，但也有 128GB 的服务器级内存，其中就使用了不