MicroLED 带宽和效率重大突破，原子能信息实验室将公布两项成果

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IT之家 1 月 27 日消息，原子能信息实验室近日发布预告，表示将出席 1 月 31 日开幕的 2024 年美国西部光电博览会，发表两篇关于其 microLED 技术进展的论文，介绍如何制造数据速率密度更高的 LED 矩阵，以及如何减少小尺寸 LED 的效率损失。在《使用 CMOS 兼容方法与 InGaN / GaN 微型 LED 进行并行通信》论文中，原子能信息实验室将介绍如何直接在 200 毫米硅基板上制造 LED，为生产由专用 CMOS 电路独立控制、几微米级别的 LED 矩阵铺平了道路。InGaN / GaN 微型发光二极管因其坚固耐用、大规模可用性和达到 GHz 级带宽的能力，成为实现高数据速率光通信的有力候选器件。LED 阵列使用 InGaN / GaN 微型发光二极管，可以实现大规模并行传输，从而达到高数据速率密度。原子能信息实验室还研发出一种将 GaN LED 矩阵集成到 CMOS ASIC 上的专利工艺，通过