联电、英特尔宣布合作开发 12nm 芯片制程，2027 年投产

IT之家 1 月 26 日消息，联华电子（联电）和英特尔 25 日共同宣布，双方将合作开发 12nm 制程平台。这项长期合作结合英特尔位于美国的大规模制造产能，和联电在成熟制程上的晶圆代工经验，以扩充制程组合。英特尔资深副总裁暨晶圆代工服务（IFS）总经理 Stuart Pann 表示：“英特尔致力于与联电这样的企业合作，为全球客户提供更好的服务。英特尔与联电的策略合作进一步展现了为全球半导体供应链提供技术和制造创新的承诺，也是实现英特尔在 2030 年成为全球第二大晶圆代工厂的重要一步。”此项 12nm 制程将运用英特尔位于美国的大规模制造能力和 FinFET 电晶体设计经验，将在英特尔位于美国亚利桑那州 Ocotillo Technology Fabrication 的 12、22 和 32 厂进行开发和制造，预计在 2027 年投入生产。根据市场调查机构 Gartner 公布的初步统计结果，英特尔从三星手中夺回全球半导体收