英特尔率先拥抱 High-NA EUV 光刻机，台积电持观望态度

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IT之家 1 月 7 日消息，芯片巨头英特尔近日喜获业内首台具有 0.55 数值孔径（High-NA）的 ASML 极紫外 （EUV） 光刻机，将助力其在未来几年实现更先进的芯片制程。与之形成鲜明对比的是，另一巨头台积电则按兵不动，似乎并不急于加入这场下一代光刻技术的竞赛。业内分析师预计，台积电可能要到 2030 年甚至更晚才会采用这项技术。英特尔此次获得的 High-NA EUV 光刻机将首先用于学习和掌握这项技术，预计在未来两三年内用于 18A （1.8nm 工艺）之后的芯片制程节点。相比之下，台积电则采取了更加谨慎的策略，华兴资本和 SemiAnalysis 的分析师认为，台积电可能要到 N1.4 制程之后（预计在 2030 年后）才会采用 High-NA EUV 技术。分析师 Szeho Ng 表示：“与英特尔计划将 High-NA EUV 与 GAA 晶体管同时引入 20A 制程不同，我们预计台积电将在 N1.4 制程