SK 海力士在美组建闪存开发子公司 SK HNA，“挖英特尔墙角”募集工程师提升自家 NAND 竞争力

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IT之家 12 月 29 日消息，据外媒 ChosunBiz 报道，SK 海力士日前在美国组建了一家名为 SK HNA（SK hynix NAND Development America）的子公司，并通过“挖英特尔墙角”招募了多位“具有数十年经验”的专家，以期提高自家 NAND 竞争力。据悉，SK HNA 公司位于美国加州圣何塞，由约 30 名研究人员组成，唯一目标是“专注于开发高性能 NAND 技术”。外媒提到，SK 海力士本月从英特尔招募了资深主任工程师 Richard Pasto，这名工程师拥有 28 年经验，此前曾在 AMD、Spansion 和 Cypress Semiconductor 工作过，在半导体领域拥有包含 3D NAND 技术在内的数十项专利。除了 Richard Pasto 外，SK 海力士还在今年 6 月招募了一位拥有 30 年经验的存储设计专家 Rezaul H