佳能押注“纳米压印”技术：降低先进工艺生产成本，加速追赶 ASML

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IT之家 12 月 27 日消息，佳能今年 10 月宣布 FPA-1200NZ2C，这是一款纳米压印光刻（NIL）半导体设备。佳能社长御手洗富士夫近日表示，纳米压印光刻技术的问世，为小型半导体制造商生产先进芯片开辟了一条新的途径。佳能半导体设备业务经理岩本和德表示，纳米压印光刻是指将带有半导体电路图案的掩模压印在晶圆上，只需一个印记，就可以在适当的位置形成复杂的 2D 或 3D 电路图案，因此只需要不断改进掩模，甚至能生产 2nm 芯片。据报道，佳能的纳米压印光刻技术能够产生至少 5 纳米工艺尺寸的芯片，在目前由 ASML 主导的先进半导体制造设备市场，佳能的这项技术可以不断缩小和 ASML 的差距。岩本和德在设备成本上表示，由于客户成本都不相同，单个压印工艺的估计成本最低可以达到传统光刻设备工艺的一半。IT之家今年 11 月报道，御手洗富士夫表示：“NIL 产品的价格比 ASML 的 EUV 少 1 位数”。佳能与日本印刷综合