英特尔 CEO 亲自站台：Intel 18A 优势略高于台积电 N2 工艺

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IT之家 12 月 21 日消息，英特尔首席执行官帕特・基辛格（Pat Gelsinger）近日在接受采访时表示，英特尔的 18A 工艺和台积电的 N2 工艺不相上下。不过基辛格表示，在背面供电（backside power delivery）方面，英特尔更胜一筹，也得到了客户的广泛认可。基辛格表示英特尔在背面供电技术方面，提供了更好的面积效率，这意味着更低的成本更好的动力输出，也意味着更高的性能。基辛格表示 Intel 18A 凭借着良好的晶体管和强大的功率传输，略微领先于 N2。此外台积电的封装成本更高，而英特尔可以提供更有竞争力的价格优势。目前台积电、英特尔和三星都在加速推进代工业务，在最近的 IEEE 国际电子设备会议（IEDM）上，三家公司都展示了 CFET（Complementary FET）晶体管解决方案。IT之家注：堆叠 CFET 晶体管架构涉及将两种类型的晶体管（nFET 和 pFET）堆叠在一起，目标是取代全