消息称 ASML 明年推出用于 2nm 芯片制造的高 NA 光刻机，英特尔已采购 6 台

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IT之家 12 月 19 日消息，SamMobile 消息称，ASML 将于未来几个月内推出用于 2nm 制程节点的芯片制造设备，将数值孔径（NA）光学性能从 0.33 提高到 0.55，而三星计划在 2025 年底开始生产 2nm 芯片。据称，ASML 明年规划产能仅有 10 台，而英特尔已经预订了其中 6 台，不过 ASML 计划在未来几年内将此设备产能提高到每年 20 台。目前，ASML 官网列出的 EUV 光刻机仅有两款 ——NXE:3600D 和 NXE:3400C，均配备 0.33 NA 的反射式投影光学器件及 13.5nm EUV 光源，分别适用于 3/5nm 和 5/7nm 芯片制造。▲ NXE:3600D ASML 发言人曾透露，EXE:5200 是 ASML 下一代高 NA 系统，具有更高的光刻分辨率，可将芯片缩小 1.7 分之一，同时密度增加至 2.9 倍。▲&nbs