西安三星半导体 12 英寸闪存芯片扩建项目取得新进展，项目正式进入主体施工阶段

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IT之家 12 月 11 日消息，今年 10 月，三星电子和 SK 海力士等韩国公司获得美国政府无限期豁免，其中国工厂无需特别许可即可进口半导体芯片制作设备，而且他们在取得豁免后也确实在采取相应措施。中建钢构消息显示，三星（中国）半导体 12 英寸闪存芯片 M-FAB 项目模块已完成首吊，这也标志着项目正式进入主体施工阶段。公开资料显示，三星（中国）半导体有限公司 2012 年落户西安高新区，而三星半导体西安工厂是该公司唯一的海外存储器半导体生产基地。该工厂于 2020 年增设了第二期工厂项目，目前已发展成为全球最大的 NAND 制造基地，每月可生产 20 万片 12 英寸晶圆，这占据了三星 NAND 总产量的 40% 以上。三星西安工厂第一工厂投资 108.7 亿美元（IT之家备注：当前约 780.47 亿元人民币），2017 年开始建造的第二工厂，先后投资了 150 亿美元（当前约 1077 亿元人民币）。三星（中国）半导体