冲刺 1nm 制程，日本 Rapidus、东京大学与法国研究机构合作开发尖端半导体

IT之家 11 月 17 日消息，据《日本经济新闻》当地时间今日凌晨报道，日本芯片制造商 Rapidus、东京大学将与法国半导体研究机构 Leti 合作，共同开发电路线宽为 1nm 级的新一代半导体设计的基础技术。报道称，双方将从明年开始展开人员交流、技术共享，法国研究机构 Leti 将贡献其在芯片元件方面的专业技术，以构建供应 1nm 产品的基础设施。双方的目标是确立设计开发线宽为 1.4nm-1nm 的半导体所需要的基础技术。制造 1nm 产品需要不同于传统的晶体管结构，Leti 在该领域的成膜等关键技术上具备较为雄厚的实力。与 2nm 相比，1nm 技术可将计算性能和效率提升 10-20%。Rapidus 已经与 IBM 和比利时研发集团 Imec 合作，以实现 2027 年量产 2nm 芯片的目标，预计 1nm 半导体最快在 2030 年代进入主流。同时，IBM 也考虑在 1nm 领域与 Rapidus 进行合作。另据I