IT之家 11 月 17 日消息,据《日本经济新闻》当地时间今日凌晨报道,日本芯片制造商 Rapidus、东京大学将与法国半导体研究机构 Leti 合作,共同开发电路线宽为 1nm 级的新一代半导体设计的基础技术。报道称,双方将从明年开始展开人员交流、技术共享,法国研究机构 Leti 将贡献其在芯片元件方面的专业技术,以构建供应 1nm 产品的基础设施。双方的目标是确立设计开发线宽为 1.4nm-1nm 的半导体所需要的基础技术。制造 1nm 产品需要不同于传统的晶体管结构,Leti 在该领域的成膜等关键技术上具备较为雄厚的实力。与 2nm 相比,1nm 技术可将计算性能和效率提升 10-20%。Rapidus 已经与 IBM 和比利时研发集团 Imec 合作,以实现 2027 年量产 2nm 芯片的目标,预计 1nm 半导体最快在 2030 年代进入主流。同时,IBM 也考虑在 1nm 领域与 Rapidus 进行合作。另据I
冲刺 1nm 制程,日本 Rapidus、东京大学与法国研究机构合作开发尖端半导体
2023-11-17 13:50:47来源: IT之家
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