上海微系统所：国内首片 300 mm SOI 晶圆制备完成，实现技术从无到有重大突破

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IT之家 10 月 20 日消息，据中国科学院上海微系统所消息，上海微系统所魏星研究员团队近日宣布，在 300 mm SOI 晶圆制造技术方面已取得突破性进展，制备出了国内第一片 300 mm 射频（RF）SOI 晶圆。IT之家从文章中得知，相关科研团队基于集成电路材料全国重点实验室 300 mm SOI 研发平台，依次解决了 300 mm RF-SOI 晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非接触式平坦化等诸多核心技术难题，实现了国内 300mm SOI 制造技术从无到有的重大突破。据悉，为了制备适用于 300 mm RF-SOI 的低氧高阻衬底，团队自主开发了耦合横向磁场的三维晶体生长传热传质模型，并首次揭示了晶体感应电流对硅熔体内对流和传热传质的影响机制以及结晶界面附近氧杂质的输运机制，相关成果分别发表在晶体学领域的顶级期刊上。官方表示，多晶硅层用作电荷俘获层是 RF-SOI 中提高器件射频性