HBM4 内存正在开发中，将采用更宽的 2048 bit 接口

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IT之家 10 月 15 日消息，据三星官方消息，面向高性能计算（HPC）的 HBM 内存迎来新进展，9.8Gbps 的 HBM3E 产品已开始向客户提供样品，而 HBM4 内存预计 2025 年推出。虽然目前还没有关于 HBM4 的正式规范，但台积电在 2023 OIP 论坛阿姆斯特丹厂上给出了部分制定中的标准。台积电称，未来 HBM4 内存的接口位宽将实现翻倍，达到 2048 bit。值得一提的是，出于多种技术原因，他们还希望在不增加 HBM 内存堆栈占用空间的情况下实现这一目标，这也将会使得下一代 HBM 内存的互连密度翻倍，而无需进一步提高时钟速度。按照计划，这将使 HBM4 在多种技术层面上实现重大飞跃。在 DRAM 堆叠方面，一个 2048bit 的内存接口需要大幅增加硅通孔的数量。同时，外部芯片接口将需要将凸块间距缩小到 55 微米以下，同时大幅增加微凸块数目（IT之家注：HBM3 目前大约 3982 个