三星 9.8Gbps 速率 HBM3E 内存已出样，预计 2025 年推出 HBM4

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IT之家 10 月 12 日消息，据三星官方博客消息，面向高性能计算（HPC）的 HBM 内存迎来新进展，将开发 9.8Gbps 的 HBM3E 产品，已开始向客户提供样品。此外，HBM4 内存以 2025 年为目标正在开发中，为了适用于该产品，正在准备针对高温热特性优化的 NCF 组装技术和 HCB 技术。IT之家注：NCF（Non-conductive Film，非导电薄膜）：用于保护积层芯片之间的固态接头（Solder joint）免受绝缘和机械冲击的聚合物层（Polymer layer）。HCB（Hybrid Copper Bonding，混合粘接）：作为新一代粘接技术，采用铜（导体）和氧化膜（绝缘体）的粘接方式，而不是传统的使用焊接方式。今年年初，三星 AVP（高级封装）业务团队成立，以加强尖端封装技术并最大限度地发挥业务部门之间的协同作用。三星计划与 HBM 一起提供尖端定制封装服务，包括 2.5 维和 3 维尖端封