1γ DRAM、321 层 NAND: 主流厂商新一轮装备竞赛已拉开帷幕

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IT之家 10 月 10 日消息，闪存市场固然存在全球经济下行、高通胀等诸多因素影响，依然处于充满挑战的时期，但美光、三星等 DRAM 巨头正积极备战 1γ DRAM 技术。图源：SK 海力士DRAM目前全球最先进的 DRAM 工艺发展到了第五代，美光将其称为 1β DRAM，而三星将其称为 1b DRAM。美光于去年 10 月开始量产 1β DRAM，不过研发的目标是在 2025 年量产 1γ DRAM，这将标志着美光首次涉足极紫外 (EUV) 光刻技术。而三星计划 2023 年迈入 1b DRAM 工艺阶段，芯片容量从 24Gb（3GB）到 32Gb（4GB），原生速度从 6.4 提高到 7.2Gbps。NAND在 NAND 闪存业务中，该技术现已突破 200 层堆叠的显著里程碑，存储制造商不断追求更高的层数。SK 海力士于 8 月 9 日在 2023 闪存峰会上展示了全球首款 321 层 NAND 闪存样品。与之前的 23